Axiotech Mikroskop
Hersteller: Carl Zeiss

Gerätecharakteristik: Mikroskop mit CCD Kamera und
Auswertesoftware

Technische Parameter:

• Darstellungsmöglichkeiten: Auflicht (Hellfeld, Dunkelfeld, DIC) Durchlicht
• Objektive: 2,5x, 5x, 10x, 20x
• Okular: 10x

Einsatzmöglichkeiten:

• Vermessung von Strecken, Winkel und Flächen

Bedampfungsanlage LPCVD-Anlage CPS-382-II
Hersteller: Centrotherm

Gerätecharakteristik: 2- Rohr-Anlage zur Oxidation von Si-Wafern und zum Abscheiden von Si-Oxid-, Si-Nitrid- und Si-Oxinitridschichten

Technische Parameter:

• Rohr 1: Feucht- und Trockenoxidation von Silizium
• Rohr 2: LPCVD von Si-Oxid, Si-Nitrid und Si-Oxinitrid
• Angeschlossene Gase: N2; O2; H2O; NH3; N2O; SiH2Cl2
• Wafergröße: 4" (5" max)
• Durchsatz: 25 Wafer pro Batch ( 50 max)
• Schichthomogenität: < 5%
• PC-Steuerung mit Prozeßdokumentation

Einsatzmöglichkeiten:

• Abscheidung von Isolationsschichten, Schichten zur Ätzmaskierung, spannungsarmen dielektrischen Schichtsystemen
• Anwendungen in der Mikroelektronik und Mikromechanik

Bondanlage CB 6
Hersteller: Karl Süss Dresden

Gerätecharakteristik: Anodischer Bonder zum Fügen von flächigen Substraten und Mikrobauteilen mit Einrichtung zum Justieren.

Technische Parameter:

• Substratdicke: 5 mm
• Heizchuck: RT- 500°C
• Fahrbereich:
• X: 20 mm
• y: 20 mm
• z: 18 mm
• Q: +/- 10°
• Positioniergenauigkeit:1 µm
• Wiederholgenauigkeit:< 3 µm
• IR- Positionierung
• Druckbereich der Prozeßkammer: 2 bar -10-5 mbar über gesamten Temperaturbereich
• PC- Steuerung und Dokumentation

Einsatzmöglichkeiten:

• Herstellung dauerhafter und vakuumdichter Verbindungen der Materialpaarungen Borosilikatglas- Silizium ( Standard ) und Borosilikatglas- Aluminium/ Titan/ NiCr/ Covar

Bondanlage SB 6/ D
Hersteller: Karl Süss Dresden

Gerätecharakteristik: Modifizierte Bondanlage auf der Basis des SB 6 der Firma Karl Süss Dresden zum Fügen von Substraten und Mikrobauteilen durch Diffusionsschweißen und anodisches Bonden.

Technische Parameter:

• Substratgröße: bis 100 mm
• Bauteilhöhe : bis 50 mm
• Heizchuck: RT- 700°C; geregelt < ±5%
• Flächenpressung: 0 MPa .- 15 MPa
• Kraftaufbringung: 0 kN .- 5 kN
• Bondspannung: bis 2000 V
• Druckbereich der Prozeßkammer: 2 bar - 10-5 mbar über gesamten Temperaturbereich
• PC- Steuerung mit Prozeßdokumentation

Einsatzmöglichkeiten:

• Herstellung dauerhafter und vakuumdichter Verbindungen folgender Materialpaarungen:
• Mittels Mikrodiffusionsschweißen - Stahl / Al- Legierungen, Al-Leg./ Cu und Glas / Glas,
• Mittels anodischem Bonden - Borosilikatglas / Silizium (Standard)- Borosilikatglas / Aluminium/ Titan/ NiCr/ Covar

Drahtbonder zum manuellen Drahtbonden

Gerätecharakteristik: Au-Thermokompressionsbonder, Au-Wedge-Wedge-Bonder, Al-Wedge-Wedge-Bonder

Technische Parameter:

• Verarbeitung von Al- bzw. Au Drähten: Æ 25 µm ... 75 µm

Einsatzmöglichkeiten:

• Bonden aller Arten von Halbleiter-Bauelementen mit Au- bzw. Al- Bondinseln auf Dickschichtsubstraten (Au-Leiterbahnen), Leiterplattenmaterial (vergoldet chemisch Ni mit Au oder Flashvergoldung), Glas (Leiterbahn AL oder Au) und konventionellen Bauelemente-sockeln und Trägerstreifen